Calculation of Nonradiative Multiphonon Capture Coefficients and Ionization Rates for Neutral Centres According to the Static Coupling Scheme II. Alternative Trap Models
Published Aug 1, 1976 · R. Pässler
Physica Status Solidi B-basic Solid State Physics
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Abstract
On the basis of the static coupling scheme, explicit calculations are performed of nonradiative multiphonon capture coefficients for one-band-model traps in a direct semiconductor. The present investigations are more comprehensive than earlier ones in the following respects: 1) the interaction of the trapped carrier with both the longitudinal acoustic and the longitudinal optical crystal modes is taken into consideration, 2) comparable analytical results are derived for the alternative models of a delta-function potential (isoelectronic traps) and a Coulombic potential (hydrogenic traps), 3) a comparison is made between the one- and two-parameter descriptions of such traps, and 4) explicit results are given both for pseudo-intraband and -interband processes. Auf der Grundlage des statischen Kopplungsschemas werden explizite Berechnungen der strahlungslosen Multiphononen-Einfangkoeffizienten fur im Rahmen eines Ein-Band-Modells beschreibbare Traps in einem direkten Halbleiter durchgefuhrt. Die gegenwartigen Untersuchungen sind umfassender als fruhere in folgender Hinsicht: 1. wird die Wechselwirkung des eingefangenen Ladungstragers sowohl mit den longitudinalen akustischen als auch mit den longitudinalen optischen Kristallschwingungen in Betracht gezogen, 2. werden vergleichbare analytische Ergebnisse fur die Alternativmodelle eines delta-funktionsartigen Potentials (isoelektronische Traps) und eines Coulombschen Potentials (wasserstoffahnliche Traps) abgeleitet, 3. wird eine Gegenuberstellung der ein- und zwei-parametrischen Beschreibungsweisen solcher Traps durchgefuhrt und 4. werden explizite Ergebnisse sowohl fur Pseudo-Intraband- als auch -Interband-Prozesse abgeleitet.